IGBT é a sigla em inglês para Insulated Gate Bipolar Transistor, que significa Transistor Bipolar de Porta Isolada. Trata-se de um dispositivo semicondutor de potência que combina as vantagens dos transistores bipolares de porta isolada (IGBT) e dos transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET).
Os IGBTs são comumente utilizados em aplicações de alta potência, como inversores de frequência, fontes de alimentação, motores elétricos, sistemas de energia renovável, entre outros. Eles oferecem alta eficiência, rápida comutação, capacidade de suportar altas correntes e altas tensões, além de necessitarem de pouca corrente de acionamento.
Os IGBTs são dispositivos trifásicos, compostos por várias células em paralelo, o que permite suportar altas correntes. Eles possuem três terminais principais: coletor (C), emissor (E) e porta (G), sendo necessário um sinal de tensão na porta para controlar o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor.
Os IGBTs são amplamente utilizados em sistemas de potência devido às suas características de alta potência e eficiência. No entanto, é importante considerar o dimensionamento correto do componente e a proteção contra sobrecorrentes e sobretensões para garantir a operação segura e confiável do sistema.
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